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  • 国外集成电路命名方法(十)
    http://www.ic72.com 发布时间:2005/8/9 9:13:00
    缩写符号:SIC 译名:西格尼蒂克公司(美)

    器件型号举例说明


    NE
    5534
    N
    首标 器件编号 封装 当有第二位字母时
    表示温度范围:   CK:芯片; 表示引线数
    75、N、NE:(0~70)℃   D:微型(SO)塑料; B:3;
    (0~75)℃;   E:金属壳(TO-46,TO-72) C:4;
    55、S、SE:   4线封装; E:8;
    (-55~125)℃;   F:陶瓷浸渍扁平; F:10;
    SA:(-40~85)℃;   G:芯片载体; H:14;
    SU:(-25~85)℃。   H:金属壳(TO-5 J:16;
        8、10线封装; K:18
        I:多层陶瓷双列; L:20;
        K:TO-3型; M:22;
        N:塑料双列; N:24;
        P:有接地端的微型封装; Q:28;
        Q:多层陶瓷扁平; W:40;
        R:氧化铍多层陶瓷扁平; X:44;
        S:功率单列塑封; Y:48;
        W:陶瓷扁平。 Z:50。
    同时生产与其它公司相同型号的产品。该公司并入PHIN公司。

    缩写符号:SIEG 译名:西门子公司(德)
    器件型号举例说明(与欧共体相一致)
    TB
    B
    1458
    A
    GG
    首标 温度范围 器件编号 改进型 封装
    第一字母表示: A:没规定范围;     首位字母表示封装形式:
    S:单片数字电路; B:(0~70)℃;     C:圆壳;
    T:模拟电路; C:(-55~125)℃     D:双列直插;
    U:模拟/数字混合 D:(-25~70)℃;     E:功率双列(带散热片);
    电路。 E:(-25~85)℃;     F:扁平(两边引线);
    第二字母,除"H" F:(-40~85)℃。     G:扁平(四边引线);
    表示混合电路外,       K:菱形(TO-3);
    其它没明确含义。       M:多列引线(双、三、四列
    电路系列由两字母加以       除外);
    区分。       Q:四列直插;
            R:功率四列(带散热片);
            S:单片直插;
            T:三列直插。
            第二位字母表示封装材料:
            C:金属-陶瓷;
            G:玻璃-陶瓷(陶瓷浸渍);
            M:金属;
            P:塑料。
            (半字符以防前后符号混淆)

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