根据南韩Digital Times 21日的报导，继今年6月NAND闪存专用12英寸晶圆厂“14 Line”及7月的首座非内存专用12英寸晶圆厂“S（System LSI）Line”启用后，预期三星电子最快将在明年下半年启用DRAM专用晶圆厂“15 Line）”。
    三星电子相关人员20日表示，目前正进行整地工事的京畿道华城“15 Line”厂区，将在明年初完成15 Line与16 Line的厂房兴建，并开始移入相关设备，最快将在明年第三季启用。
    预期三星电子将自今年第四季开始，进行针对“15 Line”生产设施的相关投资，投资额约3兆韩元。同时，预期“15 Line”月产能将与一般半导体厂相当，约5万片。
    三星电子自1983年开始启用器兴1 Line以来，平均约每隔一年半即兴建一条半导体生产线，目前三星电子已拥有15条半导体生产线。
    三星电子系在1983年启用器兴1 Line，并在1985年2月兴建生产MICOM（微电脑控制器）的2 Line，其后陆续兴建目前生产System LSI的4 Line／5 Line、生产闪存的6 Line／7 Line、生产闪存与SRAM的8 Line、生产DRAM的9 Line，以及NAND闪存专用14 Line及非内存专用S Line。
    除器兴厂区外，在华城厂区则有生产DRAM的10~13 Line，未来还将在华城兴建容纳6条生产线（15~20 Line）的三座厂房。