根据韩国Digital Times 14日的报导，最近DRAM与NAND型闪存等内存市场正陆续出现正面信号。市场主力产品－2Gb NAND型闪存现货价出现走扬，DRAM价格亦因相关业者将部份产能转向生产NAND型闪存而趋稳。
    韩国半导体业界13日指出，受到部份NAND闪存业者4Gb产品量产不顺及需求增加的影响，香港现货市场2Gb NAND型闪存需求出现增加，并带动产品价格上扬。
    大宇证券的郑昌元（音译）分析师指出，今日香港市场2Gb NAND型闪存价格大涨4％以上，最近持续上扬的2Gb产品价格已从10美元底部弹升到13美元，预期短期内NAND型闪存价格仍有机会持续走扬。
    对此，三星电子相关人员表示，该公司4Gb产品的量产正顺利进行，自第三季起，由于MP3 Player、手机与数字相机的基本内建内存增加，连带使得需求增加、价格上扬。
    此外，DRAM产能转用于生产NAND型闪存，亦使得DRAM价格跌势放缓。受此影响，iSuppli在上周五将DRAM短期市场状况由“负面”调升为“中立”，此为去年12月以来首度调升。
    iSuppli的金男炯（音译）分析师指出，不少DRAM业者为防止亏损扩大，并未积极扩产，加上三星电子与Hynix积极转换产品组合，扩产利润较DRAM佳的NAND型闪存，以致DRAM市况优于预期。不过，到目前为止，仍难期待DRAM价格反弹。