全球NOR型闪存市场竞争本来就很激烈，而今英特尔重返低端NOR闪存市场的举动更是迫使大厂频频降价，获利空间严重缩水，部分二线IDM厂及IC设计厂商则已面临生死关头、即将被淘汰出局的困境，这一景象让刚刚进入这一市场的厂商紧急喊停和退出，Infineon就是其中一家，它已表示，暂缓投入NOR型闪存市场，将资源集中在NAND型闪存产品上。

　　近几个月来，全球NOR型闪存市场竞争过度导致产品价格惨跌，除有部分厂商错误估计市场供需情况的原因外，还有英特尔回归低容量NOR型闪存市场带来的冲击作用，其他厂商不得不杀价应对，与英特尔硬拼，以避免市场占有率被抢，但这却造成NOR型闪存价格几近崩盘状态。

　　Infineon德国总部发言人日前证实，尽管公司拥有Twin Flash技术，具备制造NOR型闪存的能力，而且已完成产品原型(prototype)设计，但就现阶段全球NOR型闪存市场的状况来看，现在进入这一市场并没有任何好处，因此Infineon决定暂不进入NOR型Flash市场，未来将积极转向NAND型闪存市场。

　　我国台湾DRAM制造商们表示，由于NOR型闪存市场现在已惨不忍睹，供货商们纷纷停止扩充产能，甚至降低整体产出量，到目前为止，NOR型闪存相关IDM或IC设计厂商已经伤痕累累，这促使Infineon对NOR型闪存市场态度转趋保守。

　　DRAM制造商们指出，就整体闪存市场未来成长性来看，NAND型产品确实比NOR型产品更有前景，尤其是在手机上，未来高容量的闪存需求将主要来自NAND型闪存，因此厂商与其花费心力在已近末路的NOR型闪存上，还不如将所有资源投在NAND型闪存上，可能有更大的获益。

　　此外，DRAM制造商们也认为，Infineon暂缓投入NOR型闪存市场，对该市场也有“冷却”的正面效果。