世界顶尖的非易失性铁电存储器开发及供应商----Ramtron 国际公司(纳斯达克代码: RMTR)今天发布其1兆位的铁电存储器产品---FM20L08。此型号的操作电压为3-volt, 32-pin TSOP（thin small outline plastic ）封装。FM20L08是Ramtron公司目前生产的容量最大的铁电存储器，可以对其进行无限次的读写操作。该型号是专门设计用来替换标准同步静态随机存储器的（Standard asynchronous SRAMs）。同时，这个型号还特别适用电压多样或者电压会突然丢失的存储数据系统, 如:机顶盒、汽车远程信息处理以及工业应用等系统。
作为对Ramtron现有并口铁电存储器型号重要补充，FM20L08在地址转换检测（ATD）方面可以与SRAM完全兼容, 它允许用户在芯片使能有效的情况下改变地址。20L08的内存访问方式与SRAM类似，极大的简化了设计工程师使用非易失性RAM时所需要做的工作。
“当设计工程师们使用我们的并口铁电存储器产品时，新的ATD 设计方案极大的方便了他们的设计工作，” 铁电存储器产品副总裁 Mike Alwais先生说。 “这个产品可以直接用于为SRAM的设计的方案中, 这样的话，我们就可以很方便的用FM20L08替代那种不受欢迎的且需要后备电池的SRAM的解决方案。FM20L08还拥有多样的目标市场应用领域，而且我们现在已经看到了很多重要的客户对FM20L08的样片非常的感兴趣，终端应用的领域为：汽车远程信息处理、机顶盒、工业控制以及仪器|仪表等。”
Ramtron设计FM20L08的目标就是“易于使用”。除了能够完全兼容标准SRAM，FM20L08还包含一个内部的电压监控器用来阻止低电压进入，保护已存储的数据。这个监控器会连续不断的检查工作电源|稳压器电压，当工作电压低于一个临界值时，它就会发出一个低电压信号表明现在存储器已处于一个写保护的状态。当 /LVL 信号很弱的时候，存储器就被保护起来，防止无意中的访问和数据存储损坏。FM20L08还有软件控制的写保护功能。整个内存被分成八个区域，每个区域都可能通过软件单独设置写保护，而不需要硬件或改变管脚排列。为了给现在的高性能微处理器提供一个方便的接口，FM20L08包含一个高速的页面模式，这种模式可以允许在比传统随机存取器更高的总线速度的情况下，进行四字节脉冲的读写操作。
