冲电气工业株式会社(OKI)日前开发出能实现世界最高漏极(drain)效率的10W级无线通信用功率GaAs MESFET新品——KGF1934。

　　OKI的功率GaAs MESFET具有能承受12V电源|稳压器电压下工作的漏极耐压，而且采用细微化栅极(gate)、T型栅结构，以获得高效率，并且对通道构造进行了最优化设计。它能保持20V以上的高漏极(drain)耐压，同时1分贝压缩点的输出为10W的高输出功率时，可获得55%以上的高漏极效率，而在2W输出时也能达到25%的漏极效率。其工作频率范围为0.1GHz～3GHz，采用小型法兰型封装。

　　此款GaAs MESFET以W-CDMA、CDMA2000等第3代手机为中心，面向各种无线通信基站的功率放大器市场，现可提供样品，单价为1000日圆(仅供参考)，并计划于6月开始提供批量供货。