据Digitimes报道，该日期要早于三星公司此前的预期。三星存储产品部门副总裁Kim Il-ung去年10月份曾表示，公司计划于2005年第四季度量产这种8G的NAND闪存。

　　三星公司表示，他们将在短期内将产品样本提供给合作伙伴。据悉，该闪存产品基于60纳米、12英寸硅晶圆制造工艺。

　　据业内消息称，在推出8GNAND闪存后的数月内，三星还将推出16G MLC NAND闪存。按照原计划，三星本应于2007年推出该产品。

　　据调查结果显示，三星目前拥有NAND闪存市场65％的份额。