在不断提高芯片良率的同时，IBM微电子部门计划在2005年推出其65纳米半导体工艺。最近举行的国际电子器件大会(IEDM)上，在一篇论文中，IBM描述了其65纳米工艺，据称性能比以前的技术提高了35%。IBM的技术合作伙伴特许半导体、英飞凌和三星电子也参与撰写了论文。

    IBM期待在纽约East Fishkill的300毫米晶圆厂部署65纳米工艺，该工厂生产ASIC、标准芯片和提供晶圆代工服务。目前该工厂正在增建附加设施。

    IBM公司300毫米半导体运营主管Bill Rozich在产业策略研讨会(ISS)上表示，该公司希望在2005年拥有“65纳米工艺”。

    与此同时， IBM公司一直以来都在努力提升其300毫米晶圆良率。对于芯片良率的评论，Rozich说，“我们正在逐渐接近设定的目标。”

    虽然Rozich并未详细描述，但他透露IBM将把沉浸光刻(immersion lithography)工艺引入其300毫米晶圆厂。在会后的采访中，Rozich表示IBM将把沉浸技术用于45纳米节点。