White电子设计公司推出带PLL的2GB DDR SDRAM 基于FBGA器件的存储器模块W3EG2128M72AFSR.该器件是基于512Mb DDR SDRAM器件的2x128Mx72双数据速率(DDR) SDRAM存储器模块.模块包括有36个128Mx4 DDR SDRAM FBGA封装器件,是184引脚DIMM(JEDEC标准).

　　2GB DDR SDRAM 的优点包括采用FBGA封装来满足更高速度存储器的要求.FBGA封装把器件的连接从沿器件周围的金属连线变成器件下面的球状连线.和TSOP封装相比,这样的封装使得连线距离半导体芯片的长度变短.器件的时钟速率有100MHz,133MHz和166MHz,以及具有锁相环(PLL)和双向数据锁存(DQS).

　　W3EG2128M72AFSRxxxD3上采用FBGA,和TSOP或堆栈TSOP封装相比,该解决方案更紧凑,板的面积要降低60%.此外,FBGA封装的高度和宽度都比TSOP降低33%左右. W3EG2128M72AFSRxxxD3的`工作电压2.5V+/-0.2V,具有可编的突发形式(顺序和插入),数据输出是边沿对准,数据输入是中芯对准.可以自动刷新和自刷新.

　　1K量的W3EG2128M72AFSRxxxD3,单价为$750.00.下面为产品外形图.详情请上网:www.wedc.com

　　（转自　中电网）