据最新现货行情显示，目前时序虽已进入圣诞休假时期，但由于市场出现一些投机性操作，在部分炒家进场买货影响下，12月22日深圳现货内存市场价格出现一定幅度上扬，尤以主流品牌Hynix DDR256M 266涨幅较为明显，尾市收于￥250，DDR333/400也分别上调至￥260/￥270，DDR266/400模块供应稍显紧张。当天香港市场DDR现货价格持续平稳，DDR需求并没有出现明显的改善，Hynix 32Mx8 DDR266/333/400价格分别为$3.70/$3.80/$4.10。
集邦科技报价指出，主流的256M DDR400合约报价昨天跌破4.5美元，颗粒报价成为4.44美元，下跌幅度2.78%；现货价也小跌0.02%，成为3.98美元，再度跌破4美元价位。
由于近来DRAM价格不如上一季，厂商指出这一波的下跌主要是国内外DRAM厂，因应年底季报清理库存，因此价格快速修正，但由于DRAM后段产能吃紧，预料明年首季营运不看淡。
茂德科技董事长陈民良认为，明年全球DRAM厂都进入0.11 微米以下制程世代，并以12吋生产线降低成本，预计DRAM 价格也会随之下滑，但是受到后段封测产能不足，以及8吋厂转往逻辑芯片生产影响下，DRAM价格的跌幅将不到30%。
部分业内人士指出，2004年12月的需求热度优于往年，在市场上大部分业者心态都还是过于害怕，不敢备库存，当市场出现看法不一致的气氛时，代表价格有机会动起来，所以只要1月供给没有大幅增加，加上有一些农历春节前的备货迹象产生，届时可能造成抢货热潮。
整体而言，目前各DRAM经销商还是比较看好春节过年时的补货热潮，在明年第一季度时市场供给增加的货源并不多情况，业者因此预计，明年1月份的DRAM价格表现不会太差，至于第一季度中下旬，DRAM均价是否可以维持在4美元，业者客观表示，目前尚难轻易定论。
